נושא הפרוייקט
מספר פרוייקט
מחלקה
שמות סטודנטים
אימייל
שמות מנחים
השפעה של קרינת UV על שיקוע שכבות דקות של PbS מתוך תמיסה נוזלית בשיטת PCBD
The effect of UV radiation on PbS thin films deposited from solution - Photo Chemical Bath Deposition (PCBD)
תקציר בעיברית
עופרת סולפיד (PbS) הנו מוליך למחצה ידוע ונחקר, בעוד שהשפעת קרינה על מנגנוני הגידול שלו טרם נחקרה. במסגרת פרויקט זה נחקרה ההשפעה של קרינה בתחום האולטרה-סגול (קרינת UV) על גידול שכבות דקות של PbS על גבי מצע של גליום ארסניד (GaAs). תהליך השיקוע בוצע מתוך תמיסה נוזלית בשיטת PCBD (Photo-Chemical Bath Deposition). הפרמטרים שנחקרו הם אנרגיית הקרינה (אורכי גל) ומנת הקרינה (מרחק המקור מהתמיסה ומהדגם), והשפעותיהם על קצב הגידול, המורפולוגיה והתכונות האופטיות של שכבות ה-PbS שגודלו. התכונות נחקרו על ידי שימוש במספר שיטות אפיון: דיפרקציית קרני איקס (XRD), מיקרוסקופ אלקטרונים סורק (SEM), ספקטרוסקופיית פורייה בתחום האינפרא-אדום (FTIR) ומדידות פוטולומינציה (PL measurements). תוצאות המחקר הראו כי קיימת השפעה של חשיפת השכבות לקרינת UV לעומת גידול ללא חשיפה ל-UV, ובפרט נמצא כי ההשפעה העיקרית אירעה ב-60 השניות הראשונות לחשיפה.
תקציר באנגלית
Lead sulfide (PbS) is a well-known and researched semiconductor, but the effects of radiation on its growth mechanisms have not been investigated. This project focuses on studying the effect of ultraviolet (UV) radiation on the growth of thin PbS layers on a gallium arsenide (GaAs) substrate using the Photo-Chemical Bath Deposition (PCBD) method. The investigated parameters were the radiation energy and dose, as their effects on the morphology and optical properties of the PbS layers were examined using several characterization techniques, including X-ray diffraction (XRD), scanning electron microscopy (SEM), Fourier-transform infrared spectroscopy (FTIR), and photoluminescence measurements (PL). The results showed that the thickness of the layers grown under UV was found to be greater than those grown without UV, while the main effect found to occur within the first 60 seconds of exposure.