נושא הפרוייקט
מספר פרוייקט
מחלקה
שמות סטודנטים
אימייל
שמות מנחים
טרנזיסטור מבוסס ננו-חוט לשימושי חישה
nanowire-based transistor for sensing applications
תקציר בעיברית
טרנזיסטור מבוסס ננו-חוט לשימושי חישה. הטרנזיסטורים המבוססים על חוטי ננו מציעים יכולות מגוונות לחישה מונעת חשמלית. טרנזיסטורים מבוססי ננו-חוטים נמצאים בשימוש נרחב ביישומי חישה בשל תכונותיהם הייחודיות ורגישותם הגבוהה. טרנזיסטורים אלה מיוצרים בדרך כלל באמצעות ננו-חוטים מוליכים למחצה, כגון סיליקון או חומרים III-V כמו גליום ארסניד (GaAs) . אנו חוקרים את הפוטנציאל של חוטי מבולי סיליקון כמכשירים להדמיות מספרית. המטרה העיקרית שלנו היא לממש את הרכיבים הללו באמצעות תוכנת TCAD . הפרויקט מתחיל ביצירת הדמיות של רכיבים בודדים, תוך בנייה הדרגתית לקראת רכיב ראשי שהוא טרנזיסטור מבוסס ננו-חוטי המיועד ליישומי חישה. השיטה העיקרית לפתור את הבעיות שלנו היא שימוש בתוכנת TCAD, המאפשרת לנו לתכנן ולדמות את הרכיבים שלנו בתנאים סביבתיים שונים בנתונים מתאימים (גודל, סימום (Doping)...), ולהעריך את הביצועים שלהם. גורמים כמו סימום, שינויים בגיאומטריה וסביבות נוזליות נחקרים כדי לקבל תובנות לגבי היכולות והמגבלות של מכשירים אלה.
תקציר באנגלית
nanowire-based transistor for sensing applications. Nanowire-based transistors offer versatile capabilities for electrically driven sensing. Nanowire-based transistors are widely used in sensing applications due to their unique properties and high sensitivity. These transistors are typically fabricated using semiconductor nanowires, such as silicon or III-V materials like gallium arsenide (GaAs). we explore the potential of silicon wire stamps as devices for numerical simulations. Our primary objective is to implement these components using TCAD. The project begins by creating simulations of individual components, gradually building towards a main component which is nanowire-based transistor designed for sensing applications. The main method to solve our problems is using TCAD software, which enables us to design and simulate our components under different environmental conditions appropriate data (size , doping…), and evaluate their performance . Factors such as doping, geometry variations, and liquid environments are studied to gain insights into the capabilities and limitations of these devices.