נושא הפרוייקט
מספר פרוייקט
מחלקה
שמות סטודנטים
אימייל
שמות מנחים
חיישן לחץ מבוסס על חומרים אורגניים
Pressure sensor based on organic transistor
תקציר בעיברית
אלקטרוניקה אורגנית היא תחום בעל ייחודיות וחדשנות אשר מקנה למוצרים יכולות ותכונות חדשות. אחד התחומים הנחקרים בתחום האלקטרוניקה הגמישה הוא חיישנים. מטרת הפרויקט היא לייצר חיישן לחץ המבוסס על טרנזיסטור אורגני בעל שער גמיש. עקרון הפעולה של החיישן שלנו מבוסס על העובדה שהפעלת לחץ על השער הנע גורם לכיפוף ומשנה את המרחק בין מצע הטרנזיסטור לשער וכתוצאה מכך גם את ערך הקיבול. שאפנו למדוד לחץ על ידי מדידת זרם הטרנזיסטור מאחר וזרם הטרנזיסטור מושפע באופן ישיר מהקיבול, ובאמצעות מדידת הזרם ניתן להתגבר על הקושי שבלמדוד את השינוי בקיבול בתדרים שונים וב-DC בפרט. בגלל אופיו הניסיוני של הפרויקט ועקב בעיות לא צפויות במכשירי הייצור, עברנו לייצור של קבלים בלבד. תוצאות ראשוניות שלנו מראות כי קיים קשר בין לחץ שמופעל על הקבל לבין השינויים בערך הקיבול, גילוי קשר זה מאפשר הפקה של גרף כיול בין השניים ומגדיר בנוסף את תחומי העבודה האפשריים. הוכחת התכנות זו תאפשר בהמשך לייצר טרנזיסטורים המבוססים על קבל זה.
תקציר באנגלית
Organic electronics have witnessed significant interest in recent years, leading to the development of new products and capabilities. Within flexible electronics, sensor technology has emerged as a key focus area. Our project aims to create a pressure sensor using an organic field-effect transistor (OTFT). The sensor operates by deforming a flexible gate under applied pressure, which alters its capacitance. To detect pressure, we measure the current flowing through the transistor. This approach overcomes challenges associated with capacitance measurement in both DC and AC scenarios. Initially, we planned to fabricate transistors but encountered issues with required instruments. As a result, we decided to fabricate capacitors instead. Fortunately, preliminary results reveal a clear relationship between applied pressure and changes in capacitance. This enables us to construct a calibration graph defining the valid response range. Ultimately, this proof of concept paves the way for the production of OTFT sensors based on our capacitive structure.